功能描述：MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B

制造商：nexperia usa inc.

系列：TrenchMOS??

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：600mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：0.7nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：21.3pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：360mW（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：620 毫欧 @ 600mA，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：3-DFN1006B（0.6x1）

封装/外壳：3-XFDFN

标准包装：1

PMZB600UNEYL

PMZB670UPE

PMZB670UPE,315

PMZB790SN,315

PMZB950UPEYL

PN0307

PN100

PN100_D26Z

PN100_D27Z

PN100_D74Z